IBM cho biết vừa phát triển thành công một phương pháp sản xuất chip mới, cho phép bộ vi xử lý Power6 sắp ra mắt của hãng này đạt tốc độ cao gấp đôi các phiên bản hiện hành.

Nguồn: Reuters

Thay vì chỉ thu nhỏ các transitor, IBM đã nghiên cứu được quy trình biến đổi cách silicon vận động, chỉ cần đặt bên dưới một lớp silicon một lớp chất cách ly dày chưa đến 500 nguyên tử.

Theo ông Bernard Meyerson, trưởng nhóm công nghệ của IBM thì họ đã có thể "đông lạnh silicon" theo đúng nghĩa đen, nhờ đó tăng tốc cho các transistor. "Nguyên do làm cho con chip chạy nhanh hơn không chỉ vì nó có kích thước nhỏ hơn, mà còn vì chúng tôi đã thay đổi những đặc tính vật lý cơ bản của nó", Meyerson cho biết.

Phát minh này của IBM đồng nghĩa với việc con chip Power6, dự kiến tung ra vào giữa năm 2007, sẽ có tốc độ từ 4 - 5 GHz, tức là ít nhất cũng tăng gấp đôi so với các sản phẩm chip Power máy chủ hiện nay. Đối thủ mà IBM nhắm đến chính là Intel, AMD và Sun Microsystems.

Trước đây, nhằm tăng tốc cho con chip, người ta thường tìm cách thu nhỏ kích thước của các transistor để rồi có thể nhồi nhét nhiều transistor hơn vào bên trong mỗi lát silicon. Ngày nay, công nghệ thu nhỏ này đã đạt tới mức một vi xử lý cao cấp có thể chứa hàng trăm triệu transistor.

Thế nhưng nhược điểm của phương pháp này là cùng với việc làm cho chip chạy nhanh hơn, nó cũng khiến nhiệt lượng tỏa ra nhiều hơn. Các kỹ sư luôn đau đầu tìm cách để vừa thu nhỏ con chip, lại vừa ngăn không cho chúng rơi vào cảnh "tự mình nướng mình".

Trong khi đó, Power6 sẽ vẫn đạt được tốc độ cao chỉ với công nghệ sản xuất chip hiện tại (65 nanomet), thay vì đầu tư dây chuyền sản xuất 45 nanomet như Intel hiện nay. Ngoài ra, cũng theo Meyerson, con chip mới cũng ngốn ít điện năng hơn nhờ vào thiết kế hợp lý.

Thiên Ý (Theo Reuters)